超高分辨率！富士OiR 620：i-Line光刻胶成熟制程

一、核心技术参数

1. 适用波长：i-Line（365nm），专为非反射衬底优化，适配成熟光刻设备；

2. 分辨率：常规照明＜0.28μm，环形照明可缩至0.25μm，覆盖0.35μm–0.30μm节点；

3. 曝光灵敏度：220 mJ/cm²，平衡分辨率与产能，适配高产量i-Line步进机；

4. 焦深（DOF）：0.35μm L/S＞1.2μm（常规照明），0.30μm L/S＞1.0μm（常规照明）；

5. 体系与适配：酚醛树脂+DNQ感光剂，EL/EEP环保溶剂，适配0.262N TMAH标准显影液。

二、核心产品特点

1. 超高分辨率，适配关键层量产：常规照明即可实现＜0.28μm线宽，侧壁陡直，CD均匀性优异，满足0.30μm级关键层需求；

2. 宽工艺窗口，良率可控：对焦距、曝光剂量、显影时间宽容度高，焦深表现突出，量产良率稳定；

3. 环保溶剂体系，安全合规：采用EL/EEP低毒环保溶剂，替代传统高毒溶剂，符合职业健康与环保要求；

4. 工艺兼容性强，易集成：适配标准显影液与i-Line光刻流程，无需设备改造，可与有机BARC兼容；

5. 非反射衬底专用，性能Ji致：专为氧化层、氮化层等非反射表面优化，抑制驻波效应，图案保真度高。

三、使用注意事项

1. 使用前需根据现场光刻设备参数，校准曝光剂量与显影时间，确保图案精度；

2. 仅适配非反射衬底，强反射衬底（如铝、铜金属层）需选用OiR 674等专用型号；

3. 避免用于＞0.35μm非关键层（性价比低）、＜0.25μm xian进制程（需KrF/ArF光刻胶）；

4. 存储需置于15℃-25℃、干燥避光环境，密封保存，避免受潮、暴晒与污染；

5. 操作时做好防护，避免光刻胶接触皮肤与黏膜，废弃胶液需按环保标准妥善处理。