高除率低缺陷！富士CSL9044C：铜CMP研磨液

一、核心技术参数

1. 产品体系：高浓缩酸性体系，含专用氧化剂、抑制剂、纳米磨粒与分散剂，性能稳定；

2. 去除速率：铜去除速率＞8000 Å/min（标准条件），强Prestonian行为，工艺易控制；

3. 选择性：对Ta/TaN、TiN等阻挡层Cu/Barrier选择性＞100:1，强停止效应明显；

4. 稀释比例：高浓缩配方，可1:3–1:5稀释使用，降本效果xian著；

5. 适配性：适配AMAT、Ebara、Lam等主流CMP设备，兼容各类常规抛光垫。

二、核心产品特点

1. 高去除率，产能拉满：铜去除速率远超行业平均水平，支持单步/两步铜CMP，大幅缩短制程时间，适配高产能需求；

2. 高平坦化，良率保障：全局平坦化效率＞95%，低凹陷、低腐蚀，过抛30%仍保持低缺陷，线宽均匀性优异；

3. 高选择性，终点易控：对阻挡层选择性ji高，终点检测清晰，铜残留清除che底，不损伤阻挡层，适配多节点工艺；

4. 极低缺陷，可靠性强：表面颗粒、划痕等缺陷＜0.1 defects/cm²，无金属离子污染，适配xian进制程洁净度要求；

5. 高浓缩降本，工艺友好：可稀释使用，降低运输与存储成本，槽液寿命长，且与后段清洗工艺wan美兼容。

三、使用注意事项

1. 使用前需根据现场CMP设备参数，校准稀释比例与研磨压力，确保研磨效果稳定；

2. 酸性体系需配套耐酸管路与过滤系统，避免设备腐蚀，延长使用寿命；

3. 仅适配铜金属CMP，不适合铝、钨等非铜金属研磨，超厚铜层（＞5μm）需选用专用型号；

4. 存储需置于15℃-25℃、干燥避光环境，密封保存，避免受潮、暴晒与污染，防止磨粒团聚；

5. 操作时做好防护，避免研磨液接触皮肤与黏膜，废弃废液需按环保标准妥善处理。