强停止低缺陷！富士FSL1700C：STI前端CMP研磨液行业

一、核心技术参数

1. 产品体系：弱碱性体系，采用高纯度胶体二氧化硅（SiO₂）作为研磨颗粒，不含TMAH，对EHS无害；

2. 选择性：SiO₂/Si₃N₄选择性＞50:1，具备ji强的氮化硅停止效应，可进一步在钨、钴、多晶硅上实现停止；

3. 稀释比例：高浓缩配方，可1:3–1:5稀释使用，大幅降低使用成本；

4. 适配性：适配AMAT、Ebara、Lam等主流CMP设备，兼容IC1000、Suba IV等常规抛光垫；

5. 核心用途：专为STI浅槽隔离制程设计，用于xian进逻辑与存储器的前端氧化硅平坦化。

二、核心产品特点

1. 氮化硅强停止，终点精准：在氮化硅上具备稳定的强停止效应，blanket与图形晶圆均能可靠停止，过抛余量充足，无氮化硅侵蚀；

2. 硅基超低缺陷，良率保障：采用高纯度胶体二氧化硅，相比传统铈基浆料，颗粒、划痕、腐蚀坑等缺陷显著降低，无金属离子污染，适配xian进制程洁净度要求；

3. 高浓缩降本，性价比突出：高固含量浓缩配方，稀释后使用可降低运输与存储成本，槽液寿命长，总拥有成本ji具竞争力；

4. 工艺友好，易集成：弱碱性体系对设备管路腐蚀性低，维护成本低，去除速率与选择性可调，适配不同STI结构与工艺节点；

5. 行业革新biao杆：推动STI工艺从铈基转向硅基，成为行业标准，覆盖14nm–130nm全节点，尤其适配FinFET、3D NAND等高良率要求场景。

三、使用注意事项

1. 使用前需根据现场CMP设备参数，校准稀释比例、研磨压力与转速，确保研磨效果与终点控制稳定；

2. 专为氧化硅研磨设计，仅适配STI浅槽隔离制程，不适合铜、钨等金属CMP场景；

3. 避免用于需高选择性氧化硅/氮化硅的铈基浆料替代场景，此类需求需选用专用型号；

4. 存储需置于15℃-25℃、干燥避光环境，密封保存，避免受潮、暴晒与污染，防止磨粒团聚；

5. 操作时做好防护，避免研磨液接触皮肤与黏膜，废弃废液需按环保标准妥善处理，同时遵守危化品操作规范。