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产品简介
中村：OMRON欧姆龙MOSFET 光耦继电器欧姆龙 G3VM-61QR3 是 S-VSON 超微型贴片、低导通电阻 + 低输出电容双优势 MOSFET 光耦继电器，导通电阻典型仅 1.1Ω，导通损耗极低，支持 60V/400mA 负载；体积仅 2.0×1.45mm，耐高温至 110℃、高速切换、I/O 隔离绝缘性能优异，专为半导体测试、测量仪器、通信设备大电流信号切换开发。
产品分类
中村：OMRON欧姆龙MOSFET 光耦继电器
欧姆龙 G3VM-61QR3 是 S-VSON 超微型贴片、低导通电阻 + 低输出电容双优势 MOSFET 光耦继电器，导通电阻典型仅 1.1Ω，导通损耗极低，支持 60V/400mA 负载；体积仅 2.0×1.45mm，耐高温至 110℃、高速切换、I/O 隔离绝缘性能优异，专为半导体测试、测量仪器、通信设备大电流信号切换开发。
中村：OMRON欧姆龙MOSFET 光耦继电器
超低导通阻值
典型导通电阻 R_ON=1.1Ω，最大值仅 1.5Ω，远优于常规 G3VM-G 系列（15~35Ω）；同等 400mA 负载下发热、压降大幅降低，可直接驱动更大电流负载，无需额外散热设计。
额定负载能力
负载耐压峰值 DC60V，短时最大通断电流 400mA，适配电源回路、多路测试通道中等功率信号切换。
低 C×R 综合特性
输出关断电容 12pF，C×R 乘积仅 13.2 pF・Ω，兼顾低导通损耗与高频信号完整性，高频测量场景信号衰减小。
微型尺寸
外形尺寸 2.0mm (L)×1.45mm (W)×1.3mm (H)，单颗重量仅 0.01g，占用 PCB 面积极小，适合多通道阵列、便携测量设备、半导体探针卡高密度布线。
标准 4 引脚 SMT 贴装
卷带包装适配全自动 SMT 产线高速贴装，无插件工序，大幅提升批量生产效率；扁平焊盘不易虚焊，小型板卡布局自由度更高。
单通道 1a 常开（SPST-NO）结构
单路常开输出，输入侧光耦隔离，标准光电继电器通用电路设计，替代传统干簧继电器、普通贴片 MOS 继电器。
超快切换速度
导通时间典型 0.05ms（最大 0.25ms），关断时间最大 0.2ms，高频程控切换、高速信号采集无延迟、无漏触发。
低驱动功耗
LED 最大触发电流仅 3mA，单片机 IO 口可直接驱动，无需外置驱动三极管，简化前端控制电路；释放最小电流 0.1mA，控制阈值宽，抗控制回路干扰。
极小 I/O 间寄生电容
输入输出隔离电容仅 0.9pF，强弱电之间串扰微弱，微弱测量信号不会受控制端干扰。
超高隔离绝缘
I/O 间绝缘电阻典型 10⁸ MΩ，光电wan全隔离，阻断高低压回路噪声，适合精密测量、微弱电压信号切换。
关态漏电流极低
断开状态最大漏电流 1000nA（1μA），不会造成微小测量信号偏移，保障仪器检测精度。
宽温稳定工作
工作温度区间 - 40℃～+110℃，对比普通 G3VM 最高 85℃，可用于烘箱内检测模组、高温半导体测试设备，高低温环境参数漂移小。
半导体无机械触点
依靠 MOS 管电子开关，无电弧、无触点氧化弹跳，开闭次数无理论上限，对比电磁 / 干簧继电器寿命提升数十倍，降低设备售后维护。
无电磁噪声 EMI 优势
切换无机械震动、火花干扰，不影响周边传感器、高速采样电路，适配医疗、精密测试仪器。
内置浪涌吸收结构
负载侧瞬时高压、反向电动势可被内部回路吸收，减少后端元件击穿风险。
半导体测试设备：探针卡多路电源 / 信号切换、晶圆检测通道选通；
精密测量仪器：数据记录仪、阻抗测试仪、多路信号程控切换；
通信设备：便携测试终端、小型射频信号回路控制；
小型工控板：高密度多通道传感器供电、电磁阀小功率驱动。
G3VM-61QR3：低 R_ON（1.1Ω）、60V/400mA、S-VSON 微型贴片，主打大电流低损耗；
G3VM-61QR：同封装基础款，导通电阻略高，基础信号切换；
G3VM-41QR10：低电容款，C×R 更小，侧重高频微弱信号，电流仅 120mA；
G3VM-GL（之前型号）：SOP4、内置限流保护，侧重高压短路防护，导通电阻更大。
虽导通电阻低，但不可长期持续 400mA 满负载工作，长时间工作建议降额至 200mA 以内；
封装体积微小，焊接温度、时间严格遵循 S-VSON 贴片规范，避免过热损坏芯片；
高温环境长时间使用需预留 PCB 铜箔散热，降低温升；
仅支持直流负载切换，不可用于交流大功率负载。
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