产品简介

中村供应：FUJIFILM前端 CMP 研磨液
富士胶片 FSL1700C 是硅基 STI（浅槽隔离）CMP 的biao杆级氧化硅研磨液，以氮化硅强停止、超低缺陷、高浓缩、成本优为核心，将 STI 工艺标准从铈基转向硅基，是先进逻辑 / 存储前端制程的主流选择。

中村供应：FUJIFILM前端 CMP 研磨液

富士胶片 FSL1700C 是硅基 STI（浅槽隔离）CMP 的biao杆级氧化硅研磨液，以氮化硅强停止、超低缺陷、高浓缩、成本优为核心，将 STI 工艺标准从铈基转向硅基，是xian进逻辑 / 存储前端制程的主流选择。

中村供应：FUJIFILM前端 CMP 研磨液

一、核心定位与体系

• 产品定位：氧化硅专用、氮化硅强停止的前端 CMP 研磨液

• 核心用途：STI 浅槽隔离（Shallow Trench Isolation）制程

• 研磨体系：高纯度胶体二氧化硅（SiO₂）、弱碱性、浓缩配方

二、核心技术特点（优势）

1. 氮化硅强停止，终点精准可控

• 在氮化硅（Si₃N₄）上具备ji强停止效应， blanket 与图形晶圆均稳定停止Fujifilm

• SiO₂/Si₃N₄选择性ji高，过抛余量充足，无氮化硅侵蚀

• 可进一步在 ** 钨（W）、钴（Co）、多晶硅（Poly-Si）** 上实现停止，工艺兼容性ji强

2. 硅基超低缺陷，良率保障

• 采用高纯度胶体二氧化硅，相比传统 ** 铈基（CeO₂）** 浆料，颗粒、划痕、腐蚀坑缺陷显著更低

• 无金属离子污染，适配xian进制程（14nm–28nm）洁净度要求

• 表面粗糙度（Ra）低，后段清洗兼容，无需特殊处理

3. 高浓缩配方，降本增效

• 高固含量浓缩液，可1:3–1:5 稀释使用，大幅降低运输与存储成本

• 槽液寿命长、更换周期长，总拥有成本（CoO）ji具竞争力

4. 工艺友好，易集成

• 适配主流 CMP 设备（AMAT、Ebara、Lam 等）与抛光垫（IC1000、Suba IV 等）

• 去除速率与选择性可调，适配不同 STI 结构与工艺节点

• 弱碱性体系，对设备与管路腐蚀性低，维护成本低

5. 行业biao杆，制程革新

• 推动 STI 工艺从铈基转向硅基，成为行业标准

• 覆盖14nm–130nm全节点逻辑 / 存储芯片 STI 制程

• 尤其适合FinFET、3D NAND、xian进逻辑等高良率要求场景

三、关键参数（典型值）

• 研磨颗粒：高纯度胶体二氧化硅

• 体系：弱碱性

• 选择性（SiO₂/Si₃N₄）：>50:1（强停止）

• 停止层：Si₃N₄、W、Co、Poly-Si

• 稀释比例：1:3–1:5

• 适用场景：STI 浅槽隔离、前端氧化硅平坦化

四、典型应用场景

• xian进逻辑芯片：14nm–28nm FinFET/CMOS STI 隔离

• 存储芯片：3D NAND、DRAM 浅槽隔离

• 成熟制程：45nm–130nm 标准 CMOS STI 工艺

• 特殊器件：MEMS、功率器件 前端氧化硅平坦化

五、选型与使用要点

• ✅ 适配：STI 制程、氮化硅停止、超低缺陷、高浓缩、成本优先

• ⚠️ 注意：氧化硅专用，不适合金属（Cu、W、Co）CMP

• ❌ 不适用：铈基浆料替代场景（需高选择性氧化硅 / 氮化硅时）