产品简介

中粗供应：FUJIFILM铜 CMP 研磨液
富士胶片 CSL9044C 是面向大马士革铜互连的biao杆级铜 CMP 研磨液，主打高去除率、高平坦化、低缺陷、高阻挡层选择性，是成熟到先进制程（14nm–130nm）铜 CMP 的主流选择。

中粗供应：FUJIFILM铜 CMP 研磨液

富士胶片 CSL9044C 是面向大马士革铜互连的biao杆级铜 CMP 研磨液，主打高去除率、高平坦化、低缺陷、高阻挡层选择性，是成熟到xian进制程（14nm–130nm）铜 CMP 的主流选择。

中粗供应：FUJIFILM铜 CMP 研磨液

一、核心定位与体系

• 产品定位：成熟 /xian进制程通用型铜 CMP 研磨液，行业biao杆、出货量zui高

• 适用场景：逻辑 / 存储芯片、xian进封装 RDL、厚铜层、多层大马士革

• 体系：高浓缩酸性体系，含专用氧化剂、抑制剂、纳米磨粒、分散剂

二、核心技术特点（优势）

1. 超高去除率，产能zui大化

• 铜去除速率 **>8000 Å/min**（标准条件），适配高产能 CMP 设备

• 强 Prestonian 行为，工艺窗口宽、易开发与控制

• 支持单步 / 两步铜 CMP，缩短制程时间

2. 高平坦化 + 低凹陷 / 腐蚀，良率保障

• 全局平坦化效率 **>95%**，台阶高度快速收敛

• 低凹陷（Dishing）、低腐蚀（Erosion），线宽均匀性优异

• 过抛光余量充足，过抛 30% 仍保持低缺陷

3. 高阻挡层选择性，终点易控

• 对 Ta/TaN、TiN 等阻挡层Cu/Barrier 选择性 > 100:1

• 终点检测清晰，铜残留清除che底，不损伤阻挡层

• 适配14nm–130nm全节点大马士革工艺

4. 极低缺陷，可靠性拉满

• 表面颗粒、划痕、腐蚀坑 **<0.1 defects/cm²**

• 无金属离子污染，适配xian进制程洁净度要求

• 与后段清洗工艺兼容，无需特殊清洁剂

5. 高浓缩配方，降本增效

• 固含量高，可1:3–1:5 稀释使用，降低运输与存储成本

• 使用寿命长，槽液更换周期长，ownership 成本低

6. 工艺兼容性强，易集成

• 适配主流 CMP 设备（Applied Materials、Ebara、Lam 等）

• 兼容各类抛光垫（IC1000、Suba IV、Politex 等）

• 与富士 Post-CMP Cleaner 配套使用，清洁效果好

三、典型应用场景

• Jin进逻辑芯片：14nm–28nm 铜互连、FinFET 工艺

• 存储芯片：3D NAND、DRAM 多层铜布线

• xian进封装：2.5D/3D IC、RDL 重布线层、凸点下金属（UBM）

• 功率器件：IGBT、MOSFET 厚铜层平坦化

• 成熟制程：45nm–130nm 标准大马士革工艺

四、选型与使用要点

• ✅ 适配：14nm–130nm 铜互连、高产能 / 高良率、厚铜层、单 / 两步 CMP

• ⚠️ 注意：酸性体系，需配套耐酸管路与过滤系统

• ❌ 不适用：铝 / 钨等非铜金属 CMP、超厚铜层（>5μm） 需专用型号